En cuantos a los dispositivos lógicos tenemos la estructura PLA (programable lógico de arrays) Las PLA son matrices lógicas programables. Estos dispositivos contienen ambos términos AND y OR programables lo que permite a cualquier término AND alimentar cualquier término OR. Las PLA probablemente tienen la mayor flexibilidad frente a otros dispositivos con respecto a la lógica funcional. Normalmente poseen realimentación desde la matriz OR hacia la matriz AND que puede usarse para implementar máquinas de estado asíncronas. También esta estructura esta compuesta por un bloque funcional que se utiliza para implementar multifunciones booleanas. Existe una gran relación entre su estructura interna y el conjunto de funciones que realiza...
Un PLA está constituido básicamente por dos submatrices o planos denominados plano AND y OR, respectivamente. Ambos planos están separados entre sí por una pequeña zona divisoria denominada zona de conexión. Tanto el plano AND como el plano OR disponen, a su vez, de dos zonas externas denominadas buffer o separadores de entrada y de salida. Las señales de entrada del PLA llegan a los buffer de entrada del plano AND y producen las señales invertidas. Ambos tipos de señales penetran verticalmente en el plano AND y generan los términos producto pi. Estos últimos discurren horizontalmente por ambos planos, atravesando previamente la zona de conexión, y producen finalmente las salidas del PLA mediante la realización de sumas lógicas entre los términos productos anteriores.
Además de las zonas mencionadas, existen otras dos regiones especiales. Una de ellas está situada a la izquierda del plano AND y la otra en la parte superior del plano OR. Estas regiones están constituidas por transistores del "pull-up", que actúan como resistencia de carga, a través de los cuales se alimentan las líneas de los términos producto y las líneas de salida del PLA respectivamente.
También encontramos las que son las memorias ROM, conocidas como memoria de solo lectura.
Se caracterizan por contienen celdas de memoria no volátiles, es decir que la información almacenada se conserva sin necesidad de energía. Este tipo de memoria se emplea para almacenar información de forma permanente o información que no cambie con mucha frecuencia.
Actualmente se dispone de varios tipos de memorias ROM, a continuación se explicará cada una de ellas con sus características básicas:
Memoria ROM de Máscara
Esta memoria se conoce simplemente como ROM y se caracteriza porque la información contenida en su interior se almacena durante su construcción y no se puede alterar. Son memorias ideales para almacenar microprogramas, sistemas operativos, tablas de conversión y caracteres.
Un PLA está constituido básicamente por dos submatrices o planos denominados plano AND y OR, respectivamente. Ambos planos están separados entre sí por una pequeña zona divisoria denominada zona de conexión. Tanto el plano AND como el plano OR disponen, a su vez, de dos zonas externas denominadas buffer o separadores de entrada y de salida. Las señales de entrada del PLA llegan a los buffer de entrada del plano AND y producen las señales invertidas. Ambos tipos de señales penetran verticalmente en el plano AND y generan los términos producto pi. Estos últimos discurren horizontalmente por ambos planos, atravesando previamente la zona de conexión, y producen finalmente las salidas del PLA mediante la realización de sumas lógicas entre los términos productos anteriores.
Además de las zonas mencionadas, existen otras dos regiones especiales. Una de ellas está situada a la izquierda del plano AND y la otra en la parte superior del plano OR. Estas regiones están constituidas por transistores del "pull-up", que actúan como resistencia de carga, a través de los cuales se alimentan las líneas de los términos producto y las líneas de salida del PLA respectivamente.
También encontramos las que son las memorias ROM, conocidas como memoria de solo lectura.
Se caracterizan por contienen celdas de memoria no volátiles, es decir que la información almacenada se conserva sin necesidad de energía. Este tipo de memoria se emplea para almacenar información de forma permanente o información que no cambie con mucha frecuencia.
Actualmente se dispone de varios tipos de memorias ROM, a continuación se explicará cada una de ellas con sus características básicas:
Memoria ROM de Máscara
Esta memoria se conoce simplemente como ROM y se caracteriza porque la información contenida en su interior se almacena durante su construcción y no se puede alterar. Son memorias ideales para almacenar microprogramas, sistemas operativos, tablas de conversión y caracteres.
Memoria PROM
Esta memoria es conocida como ROM programable de la sigla en inglés Programmable Read Only Memory. Este tipo de memoria a diferencia de la ROM no se programa durante el proceso de fabricación, en vez de ello la programación la efectúa el usuario y se puede realizar una sola vez, después de la cual no se puede borrar o volver a almacenar otra información.
Memoria EPROM
Este tipo de memoria es similar a la PROM con la diferencia que la información se puede borrar y volver a grabar varias veces
Memoria EEPROM
La memoria EEPROM es programable y borrable eléctricamente.Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la diferencia básica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante, la cual es más delgada y no es fotosensible.
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